多站高精度静态比表面仪仪器功能
TBET比表面积(多点、单点)、Langmuir比表面积、t-plot法外表面积;t-plot法微孔内表面积、微孔总孔体积;单点吸附总孔体积、吸附平均孔径;
多站高精度静态比表面仪技术参数
多站高精度静态比表面仪测试精度:T≤± 1.5%(T比表面)T;
多站高精度静态比表面仪测试气体:T高纯氮气(N2,99.999%),无需使用氦气;
多站高精度静态比表面仪测试范围:T比表面≥ 0.01 mP2P/g,无规定上限;
多站高精度静态比表面仪真空系统:T集装式真空腔体,模块化设计;全低温电磁阀控制;真空抽速可自动调节系统,调节范围2-200ml/s;
多站高精度静态比表面仪真空泵:T双级旋片式机械泵,极限真空>10P-1PPa,自动防返油;
多站高精度静态比表面仪压力测试:T4个进口压力传感器(0-120KPa),精度±0.15 %;
多站高精度静态比表面仪分析站:T4个独立分析站,4个样品同时测试;
多站高精度静态比表面仪测试效率:T比表面测试每站仅需20-40分钟不等(与样品性质有关,不包含脱气预处理时间);
多站高精度静态比表面仪脱气系统:T4站原位真空脱气预处理系统;4个独立加热包;4套独立温控系统,均可程序升温控制,程序升温设置阶数多达10阶;脱气温度范围,室温—400℃,精度±1℃;
多站高精度静态比表面仪数据控制及采集:TWindows兼容数据采集、处理软件,全自动平衡压力智能控制法,网络式数据采集卡,以太网LAN口连接;
多站高精度静态比表面仪仪器规格:T长580mm×宽450mm×高820mm;
多站高精度静态比表面仪电源:T220V±20V,50/60HZ,*大功率300W;
多站高精度静态比表面仪环境温度:室温20 - 25℃;
