主要特点：
1. 二次电子分辨率:顶位二次电子探测器(2.0 nm at 1kV)＊
2. 高灵敏度:**PD-BSD,**的低加速电压性能，低**100 V成像
3. 大束流(>200 nA):便于**微区分析
应用领域：
1. 钢铁
2. 复合材料
3. 纳米材料
4. EBSD等分析
