高功率单频OEM半导体激光器 - XTRAⅡ
产品特点：
? 典型线宽<10MHz
? 理想的拉曼光谱光源
? 输出功率可达500mW@785nm
? 可实现光纤耦合选项
? AES抑制比>40dB
产品主要主要参数：
波长
785 nm
功率（自由空间）
可达500 mW
长期功率漂移(10 h)
< 5 %
光谱线宽（典型值）
< 10 MHz
ASE抑制比（典型值）
> 40 dB
长期频率漂移(10 h)
< 1 cm-1 / 30 GHz
光隔离器
35 dB / 60 dB (可选)
空间模式
TEM00, M2 < 1.7
光斑直径(典型 @ 1/e2)
2.2 mm
发散角（典型值）
< 1 mrad
光纤耦合效率（典型值）
50 %
聚焦度
< 1 μm (取决于光学系统)
偏振度
典型值500:1，线偏振， 45° clockwise with respect to base plate
工作电压
90 – 260 VAC
工作环境温度范围
15..35 °C
激光头尺寸(L x W x H)
270 x 122 x 85 mm3
